4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。
A．干氧氧化
B．湿氧氧化
C．离子氧化
D．水蒸汽氧化
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
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集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。
填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。A 对B 错
问答题集成电路主要有哪些基本制造工艺？
填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
