制作烤瓷熔附金属全冠底冠时，金属基底表面氧化膜厚度最佳值为
A．0.2～2μm
B．5～10μm
C．15～20μm
D．25～30μm
E．30μm
制作PFM全冠时，金属基底表面氧化膜厚度最佳值为A．0.2～2μmB．5～10μmC．15～20μmD．25～30μmE．30μm以上
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真空高温条件下金属基底上制作的金属-烤瓷复合结构的全冠A.嵌体B.半冠C.烤瓷熔附金属全冠D.桩冠E.3／4冠
制作PFM全冠时，金属基底表面氧化膜厚度最佳值为A．0.2～2μamB．5～10μmC．15～20μmD．25～30μmE．30μm以上
烤瓷熔附金属全冠的基底冠厚度至少为A.0.3mm B.2mm C.0.5mm D.0.1mm E.1mm
真空高温条件下金属基底上制作的金属-烤瓷复合结构的全冠（）A、嵌体B、半冠C、烤瓷熔附金属全冠D、桩冠E、3／4冠
制作PFM全冠时，金属基底表面氧化膜厚度最佳值为（）。A、0.2～2μmB、5～10μmC、15～20μmD、25～30μmE、30μm以上
金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）A、去除铸造过程中形成的氧化膜B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C、排除合金中残留的气体D、避免瓷熔附时出现气泡E、在基底表面形成氧化膜
