随着温度的升高，陶瓷半导体电子空穴的浓度按（）规律增加。
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）A、增加B、减少C、不变
本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
