IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的（）
IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种的离子通透性（ ）
A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位，该离子是A.Ca2+B.Na+C.Cl-D.K+E.H+
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的（）A、钾离子、钠离子，尤其是钾离子B、钾离子、钠离子，尤其是钠离子C、钾离子、钠离子、氯离子，尤其是氯离子D、钙离子、钾离子、氯离子，尤其是钾离子E、钾离子、氯离子，尤其是氯离子
