二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
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实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。