硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
硅管与锗管的死区电压分别为()。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5
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硅管与锗管的死区电压分别为()。A、0.7,0.3B、0.3,0.7C、0.5,0.2D、0.2,0.5
锗管的正偏导通电压为()伏左右。A、0.3B、0.7C、1D、0.8
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
二极管真正导通后,锗管的电压约为()V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。