金属丝的电阻应变效应中，引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫（）效应，这类元件有（）。
压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小
金属丝应变片在测量某一构件的应变时，引起电阻的相对变化主要由（）。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积
金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化
在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。（）
金属丝应变片在测量某一构件的应变时，其电阻的相对变化主要由（）来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可
