X射线管中,电子轰击靶时能量转换最多的是()
X射线管中撞击靶的电子数量越大,则发出的射线能量就越高
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X射线管中轰击靶的电子运动速度取决于()A、靶材的原子序数B、管电压C、管电流D、灯丝电压
X射线管中,电子轰击靶时能量转换的主要形式是生产:()A、一次射线B、二次射线C、短波长射线D、热
X射线管电子轰击靶时能量转换的主要形式是X射线
X射线管中,电子轰击靶时能量转换的主要形式是产生()A、连续X射线B、标识X射线C、短波长X射线D、热
用于医疗诊断方面的X射线管,其阳极靶较厚,称厚靶X射线管。当高能电子轰击靶面时,由于原子结构的“空虚性”,入射的高速电子不仅与靶面原子相互作用辐射X射线,而且还穿透到靶物质内部一定的深度,不断地与靶原子作用,直至将电子的能量耗尽为止。因此,除了靶表面辐射X射线外,在靶的深层,也能向外辐射X射线。这种愈靠近阳极,X射线强度下降愈多的现象,就是所谓的“足跟”效应,也称阳极效应。由于诊断X射线管靶倾角小,X射线能量不高,足跟效应非常显著。X射线辐射强度下降得越多越靠近()A、阳极B、阴极C、中心线D、球管E、床面
电子轰击钨靶发生能量转换,其中()A、1%能量转换成X线B、10%能量转换成X线C、25%能量转换成X线D、50%能量转换成X线E、99%能量转换成X线