分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）A、试品电容量越大，影响越大B、试品电容量越小，影响越小C、试品电容量越小，影响越大D、与试品电容量的大小无关
耦合电容器出厂试验型式试验项目包括（）。A、交流电压试验，干试或湿试B、雷电冲击电压试验C、局部放电试验D、电容量及介质损耗因素测量
在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。A、电力设备绝缘表面脏污B、电场干扰和磁场干扰C、试验引线的设置位置—长度D、温度与湿度E、周围环境杂物等
