对于X射线，随着能量的增加，深度曲线剂量建成区变化为（）
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
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对高能X射线剂量建成区，描述正确的是A、一般使肿瘤位于建成区之前B、一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前C、肿瘤中心通过剂量最大点D、最大剂量建成深度随射线能量增加而增加E、最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
关于建成效应的描述，错误的是（）A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域B、对高能X射线，一般都有剂量建成区域存在C、剂量建成区内表面剂量不能为零D、高能次级电子数随深度增加而增加，导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加
关于剂量建成区形成的原因，错误的是（）A、高能X（γ）射线入射到人体或模体时，在体表或皮下产生高能次级电子B、虽然所产生的高能次级电子射程较短，但仍需穿过一定深度直至能量耗尽后停止C、在最大电子射程内高能次级电子产生的吸收剂量随组织深度增加而增加D、高能X（γ）射线随组织深度增加，产生的高能次级电子减少E、剂量建成区的形成实际是带电粒子能量沉积过程
对于X射线，随着能量的增加，深度曲线剂量建成区变化为（）A、能量越高，剂量建成区越宽B、能量越高，剂量建成区越窄C、能量越低，剂量建成区越宽D、能量越低，剂量建成区越平坦E、与能量无关
